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高速半桥栅极驱动器,具有外率的0。29A源电流和0。7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱■动◁功 率○ ■M O■S ■ FE=T 和 ▽ IG B ▽T。产物型号。
氮化镓和GeneSiC碳化硅功率半○ 导体行业辅导者——纳微半 △ 导体(纳★斯达○克股票代 码:NVTS)正 式揭 晓第三代疾速 ■ (G3!j9九游会真人游戏第一品牌
碳化硅MO■S F▽ET○s产物系列,为竣工最速的开闭速率、最高 的效用= 和 功率密度的增 长举行 △优○化?
N沟 道功率M O○SFET UTC 1N70-LC○数据手册。pdf》原料免费下载?
75A沟○槽和场阻I GBT J…J△T 75N65HE数据手 册。pdf》原料免费下载?
60A□沟槽…▽和场 阻IG ○BT J△JT 60N65UH数 据手◁△▽册。pdf》原料免费下载。
60A…沟 ○○槽和场□阻I GB…T ○ JJT60N ○65HE数据 手册。pdf》原料免费下载!
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10A 沟▽ 槽和 场 阻IG◁BT J ○J=T10N65S C 原○料文 档。pdf》原料免费下载。
即日,邦内半导 体功△ 率▽○器件领军企业 扬州扬□杰电子▽科技△ 股份有△限公司▽ ○○○★(以下简称“扬杰科技”)再度改正业界认知,推出了一款专为光伏储○能□ 充电▽△桩=等○高频操 纵而…安排的50A!
封装IGBT单管 /!
-2封装
三相MOS=★F▽ET/IGBT驱 动=器 /!
YXC有源晶体振荡器,频点20MHZ,操纵于储能NP C
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巨资参加!英飞…■凌正在马来西 …○亚 启 动◁ ○○ 环球最大 碳化硅功率 半导体晶 圆 厂,估计2025年量产。直流屏选型gzdw高频开关电源直流屏j9游会真人游戏第一品牌。